1，怎么用bios設置內存我要具體的操作步驟2，bios中內存頻率如何設置3，bios里面怎么設置內存4，bios里的虛擬內存怎么設1，怎么用bios設置內存我要具體的操作步驟 bios 設置內存 ? 你說的是 把667設置成 533 或者是400吧? 在bios里面找到 ddr 667 字樣 然后下調 條到 533 或 400sdram cas latency time（內存cas延遲時間） 可選項：2，3。內存cas（column address strobe，列地址選通脈沖）延遲時間控制sdram內存接收到一條數據讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執行該指令。同時該參數也決定了在一次內存突發傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數。這個參數越小，則內存的速度越快。在133mhz頻率下，品質一般的兼容內存大多只能在cas=3下運行，在cas=2下運行會使系統不穩定、丟失數據甚至無法啟動。cas延遲時間是一個非常重要的內存參數，對電腦性能的影響比較大，intel與via就pc133內存規范的分歧也與此參數有關，intel認為pc133內存應能穩定運行于133mhz頻率、cas=2下，而via認為pc133內存能穩定運行于133mhz頻率即可，并未特別指定cas值，因此intel的規范更加嚴格，一般只有品牌內存才能夠滿足此規范，所以大家感覺intel的主板比較挑內存。 sdram cycle time tras/trc（內存tras/trc時鐘周期）可選項：5/7，7/9。該參數用于確定sdram內存行激活時間和行周期時間的時鐘周期數。tras代表sdram行激活時間（row active time），它是為進行數據傳輸而開啟行單元所需要的時鐘周期數。trc代表sdram行周期時間（row cycle time），它是包括行單元開啟和行單元刷新在內的整個過程所需要的時鐘周期數。出于最佳性能考慮可將該參數設為5/7，這時內存的速度較快，但有可能出現因行單元開啟時間不足而影響數據傳輸的情況，在sdram內存的工作頻率高于100mhz時尤其是這樣，即使是品牌內存大多也承受不了如此苛刻的設置。sdram ras-to-cas delay（內存行地址傳輸到列地址的延遲時間）可選項：2，3。該參數可以控制sdram行地址選通脈沖（ras，row address strobe）信號與列地址選通脈沖信號之間的延遲。對sdram進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。出于最佳性能考慮可將該參數設為2，如果系統無法穩定運行則可將該參數設為3。（^23030501a^）sdram ras precharge time（內存行地址選通脈沖預充電時間）可選項：2，3。該參數可以控制在進行sdram刷新操作之前行地址選通脈沖預充電所需要的時鐘周期數。將預充電時間設為2可以提高sdram的性能，但是如果2個時鐘周期的預充電時間不足，則sdram會因無法正常完成刷新操作而不能保持數據步驟很少 但是選項和定義很多 建議你自己研究主板說明書
2，bios中內存頻率如何設置 內存的頻率是不可更改的，便是可以超頻。下面簡單介紹一下。nbsp;1．內存同步超頻nbsp;對于內存超頻而言，根據不同主板，可以采用不同的超頻方案，同時內存超頻又與cpu有著直接或間接的關系，一般來說，內存超頻的實現方法有兩種：一是內存同步，即調整cpu外頻并使內存與之同頻工作；二是內存異步，即內存工作頻率高出cpu外頻。nbsp;首先我們說說內存同步超頻，我們知道，在一般情況下，cpu外頻與內存外頻是一致的，所以在提升cpu外頻進行超頻時，也必須相應提升內存外頻使之與cpu同頻工作，比如我們擁有一個平臺，cpu為athlonnbsp;xpnbsp;1800+、kt600主板、ddr266內存。athlonnbsp;xpnbsp;1800+默認外頻為133mhz、默認倍頻為11.5，主頻為1.53g，由于athlonnbsp;xpnbsp;1800+倍頻被鎖定了，只能通過提升外頻的方法超頻，假如將athlonnbsp;xpnbsp;1800+外頻提升到166mhz，此時cpu主頻為166mhz×11.5≈1.9ghz。由于cpu外頻提高到了166mhz，假如你使用的是ddr333以上規格內存，那么將內存頻率設置為166mhz屬于標準頻率下工作，但這里使用的是ddr266內存，為了滿足cpu超頻需求，內存也必須由原來的ddr266（133mhz）超頻到ddr333（166mhz）使用。nbsp;具體方法是進入bios設置，找到“advancednbsp;chipsetnbsp;features”nbsp;選項，然后會看到一個“dramnbsp;clock”選項，將鼠標光標定位到這里并回車，然后會出現內存頻率設置選項，在這里我們選擇“166mhz”并回車，保存設置并退出即實現了內存同步超頻。nbsp;需要注意的是，超頻后的內存在非標準頻率下工作，如果內存品質不好，可能造成死機，所以內存超頻還需要看內存本身的品質，一般而言，市場上普遍常見的現代（hyundai）、三星（samsung）兼容ddr內存，其都不具備很好的超頻性能。nbsp;2．內存異步超頻nbsp;在內存同步工作模式下，內存的運行速度與cpu外頻相同。而內存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術可令內存工作在高出或低于系統總線速度33mhz或3:4、4:5（內存:外頻）的頻率上，這樣可以緩解超頻時經常受限于內存的“瓶頸”。nbsp;對于支持sdram內存的老主板而言（如815系列），在支持內存異步的主板bios中，可以在“dramnbsp;clock”下找到“hostnbsp;clock”、“hclk-33m”、“hclk+33m”三個模式。其中hostnbsp;clock為總線頻率和內存工作頻率同步，hclk-33m表示總線頻率減少33m，而hclk+33m可以使內存的工作頻率比系統外頻高出33mhz，比如將賽揚1.0g外頻從100mhz超到125mhz，而你的內存為pc133規格（即標準外頻為133mhz），此時在bios的“dramnbsp;clock”下選擇“hclk+33m”，可以讓賽揚1.0g工作在125mhz外頻下，而內存卻可以在133mhz頻率下運行，充分挖掘內存的超頻潛力并提升系統性能。nbsp;而對于支持ddr內存的老主板而言（如845g芯片組），intel規定845g只支持ddr266（133mhz×2）內存，不過有的品牌845g主板在bios中加入內存異步功能，在bios中按照4:5的比例進行設置，可以讓內存運行在166mhz，從而支持ddr333（166mhz×2），并使內存帶寬提升到2.66gb/s。具體操作方式是：進入bios設置中，進入“advancednbsp;chipsetnbsp;features”的“dramnbsp;timingnbsp;setting”選項，然后進入“dramnbsp;frequency（內存頻率）”選項，在這里可以看到266mhz、320mhz、400mhz、500mhznbsp;auto等選項，直接選中“320mhz”即可。nbsp;一般來說amd的u同步比異步工作要好，而intel就不然.nbsp;3．增加電壓幫助超頻nbsp;內存頻率提升了，所以內存功耗也隨之增加，但在默認情況下，主板bios中內存電壓參數是被設置為內存標準頻率的數值，通常來說，為了確保內存超頻的穩定性，我們需要增加內存電壓，很多主板bios設置中都提供了內存電壓調節功能，同時內存電壓調節級別一般以0.05v或0.1v為檔次逐漸調節，內存電壓參數調節越細微，對超頻越
3，bios里面怎么設置內存 above 1mb memory test：設置開機自檢時是否檢測1m以上內存。該選項已經在新的bios中被淘汰。由于內存價格暴跌，電腦用戶安裝內存容量陡然增加，開機時的大容量內存自檢時間太長，今后，即使一遍的內存檢測可能也會出現允許/禁止開關。 auto configuration：設置為允許時，bios按照最佳狀態設置。bios可以自動設置內存定時，因此會禁止一些對內存設置的修改，建議選擇允許方式。 memory test tick sound：是否發出內存自檢的滴嗒聲。如果您閑它煩，可以關閉它們。 memory parity error check：設置是否要設置內存奇偶校驗。多在30線內存條使用時代，已經被淘汰。但把非奇偶校驗內存強行進行奇偶校驗設置會使電腦無法開機。 cache memory controller：是否使用高速緩存。不在流行的award bios中使用。 shadow ram option：設置系統bios或顯示卡bios是否映射到常規內存中。可以加快速度，但也可能造成死機。 internal cache memory：是否使用cpu內部緩存(一級緩存)。可以提高系統性能。 external cache memory：是否使用cpu外部緩存(主板上的二級緩存)。可以提高系統性能。amd新的具有兩級緩存的cpu的出現，使主板上的二級緩存退居成三級緩存。 concurrent refresh：直譯是同時發生的刷新。設置cpu在對其它i/o操作時對內存同時刷新，可以提高系統性能。 dram read wait state：設置cpu從內存讀數據時的等待時鐘周期。在內存比cpu慢時可

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